Victor_VG:
insorg
Я выше выкладывал IBM-ю статью о свойствах разной памяти. Она длинная, но почитай - интересно.
И смотри - в десктопных ЦПУ обычно используется двухканальный контроллер ОЗУ (КП) с учётом различий во входной ёмкости которая состоит из входной ёмкости транзисторов, паразитной ёмкости проводников на шину и паразитной ёмкости модулей модулей памяти на общий провод схемы синхронизация пары каналов более проста чем для многоканальной схемы, в серверных обычно используется более сложная схема из нескольких КП которые могут работать в синхронно-асинхронном режиме групп разных каналов например реализация архитектуры NUMA где локальная память ЦПУ работает в синхронном режиме, а доступная через межпроцессорные соединения память другого ЦПУ в асинхронном.
Смешанная архитектура памяти позволяет увеличить объём доступного системе ОЗУ, но несколько снижает его быстродействие по сравнению с локальной памятью т.к. увеличивается время ожидания тех данных которые хранятся в памяти удалённого узла. Но использование распределённой памяти это единственный доступный на сегодня метод позволяющий создать массивы ОЗУ большого объёма т.к. мы упираемся в ограничения ёмкости отдельных микросхем памяти.
Да, можно сказать "Снизим нормы техпроцесса и увеличим ёмкость микросхемы ОЗУ", но понятие нормы техпроцесса означает минимально возможное для данной технологии изготовления полупроводникового прибора расстояние между элементами структуры кристалла и никак не влияет на минимально возможные размеры его активных областей определяемые физикой полупроводников. Плюс от кристалла нужно отводить выделенное в процессе работы схемы тепло, и чем больше активных областей на кристалле и меньше их размеры тем выше плотность создаваемого ими теплового потока, и в итоге мы упираемся в порог теплопроводности материала когда увеличение количества выделяемого тепла приведёт к нагреву отдельных областей материала до температуры плавления - металлургическому пробою. И кроме того мы не можем сокращать размеры активных областей структуры ниже определённого предела т.к. носители заряда под воздействием квантовых эффектов будут просто миновать их.
А так как теоретически возможные предельные объёмы микросхем памяти вынуждают нас увеличивать их количество, а физика ограничивает их число в одном массиве нам остаётся только один выход - увеличивать объём доступной системе памяти путём её распределения, например используя архитектуры типа NUMA.
insorg
Я выше выкладывал IBM-ю статью о свойствах разной памяти. Она длинная, но почитай - интересно.
И смотри - в десктопных ЦПУ обычно используется двухканальный контроллер ОЗУ (КП) с учётом различий во входной ёмкости которая состоит из входной ёмкости транзисторов, паразитной ёмкости проводников на шину и паразитной ёмкости модулей модулей памяти на общий провод схемы синхронизация пары каналов более проста чем для многоканальной схемы, в серверных обычно используется более сложная схема из нескольких КП которые могут работать в синхронно-асинхронном режиме групп разных каналов например реализация архитектуры NUMA где локальная память ЦПУ работает в синхронном режиме, а доступная через межпроцессорные соединения память другого ЦПУ в асинхронном.
Смешанная архитектура памяти позволяет увеличить объём доступного системе ОЗУ, но несколько снижает его быстродействие по сравнению с локальной памятью т.к. увеличивается время ожидания тех данных которые хранятся в памяти удалённого узла. Но использование распределённой памяти это единственный доступный на сегодня метод позволяющий создать массивы ОЗУ большого объёма т.к. мы упираемся в ограничения ёмкости отдельных микросхем памяти.
Да, можно сказать "Снизим нормы техпроцесса и увеличим ёмкость микросхемы ОЗУ", но понятие нормы техпроцесса означает минимально возможное для данной технологии изготовления полупроводникового прибора расстояние между элементами структуры кристалла и никак не влияет на минимально возможные размеры его активных областей определяемые физикой полупроводников. Плюс от кристалла нужно отводить выделенное в процессе работы схемы тепло, и чем больше активных областей на кристалле и меньше их размеры тем выше плотность создаваемого ими теплового потока, и в итоге мы упираемся в порог теплопроводности материала когда увеличение количества выделяемого тепла приведёт к нагреву отдельных областей материала до температуры плавления - металлургическому пробою. И кроме того мы не можем сокращать размеры активных областей структуры ниже определённого предела т.к. носители заряда под воздействием квантовых эффектов будут просто миновать их.
А так как теоретически возможные предельные объёмы микросхем памяти вынуждают нас увеличивать их количество, а физика ограничивает их число в одном массиве нам остаётся только один выход - увеличивать объём доступной системе памяти путём её распределения, например используя архитектуры типа NUMA.